GaSe kristal
Lè l sèvi avèk yon kristal GaSe, longèdonn pwodiksyon an te ajiste nan yon seri ant 58.2 µm ak 3540 µm (ki soti nan 172 cm-1 a 2.82 cm-1) ak pik pouvwa a rive nan 209 W. Yo te fè anpil amelyorasyon nan pouvwa pwodiksyon sa a THz. sous 209 W rive 389 W.
ZnGeP2 kristal
Nan lòt men an, ki baze sou DFG nan yon kristal ZnGeP2 longèdonn pwodiksyon an te branche nan chenn yo nan 83.1-1642 µm ak 80.2-1416 µm pou de konfigirasyon matche faz, respektivman. Pouvwa pwodiksyon an te rive nan 134 W.
GaP kristal
Lè l sèvi avèk yon kristal GaP, longèdonn pwodiksyon an te ranje nan yon seri 71.1-2830 µm tandiske pi gwo pouvwa pik la te 15.6 W. Avantaj nan lè l sèvi avèk GaP sou GaSe ak ZnGeP2 se evidan: wotasyon kristal pa nesesè ankò pou reyalize akor longèdonn. , youn jis bezwen melodi longèdonn yon sèl melanje nan yon bandwidth ki jis 15.3 nm.
Pou rezime
Efikasite konvèsyon 0.1% se tou pi wo a te janm reyalize pou yon sistèm tab la lè l sèvi avèk yon sistèm lazè ki disponib nan komès kòm sous ponp yo. Sèl sous THz ki ta ka fè konpetisyon ak sous GaSe THz se yon lazè elèktron gratis, ki trè ankonbran. ak konsome yon gwo pouvwa elektrik.Anplis de sa, longèdonn pwodiksyon sa a sous THz ka ajiste nan yon seri trè lajè, kontrèman ak lazè kaskad pwopòsyon yo, chak nan yo ka sèlman jenere yon longèdonn fiks. posib si w konte sou subpicosecond THz pulsasyon yo oswa lazè kaskad pwopòsyon olye.
